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NSF040120L3A0Q
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 66A, TO-247-3
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $27.220 |
| 10+ | $22.230 |
| 25+ | $21.760 |
| 50+ | $21.270 |
| 100+ | $21.080 |
| 250+ | $20.880 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNSF040120L3A0Q
No. Parte Newark86AK1726
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id66
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)15
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.9
Disipación de Potencia319
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
66
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.9
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
15
Disipación de Potencia
319
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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