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NX1029X,115
MOSFET, N/P-CH, 60V, 0.33A, SOT-666 ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 8000+ | $0.145 |
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Mínimo: 4000
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNX1029X,115
No. Parte Newark86AK5895
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N330mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P330mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente1ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente1ohm
Diseño de TransistorSOT-666
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N330mW
Disipación de Potencia de Canal P330mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
330mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
1ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
330mW
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
330mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
1ohm
Diseño de Transistor
SOT-666
Disipación de Potencia de Canal N
330mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Alternativas para el número de pieza NX1029X,115
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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