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NXV55UNR
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 1.9 A, 66 mohm, SOT-23, Montaje Superficial
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Disponible para realizar pedido
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.376 | $1.88 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.88 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.376 |
| 15+ | $0.235 |
| 25+ | $0.230 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.093 |
| 9000+ | $0.081 |
| 15000+ | $0.079 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNXV55UNRCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5891
Re-reeling (Rollos a medida)21AJ6675RL
Cinta adhesiva21AJ6675
Rango de ProductoTrench
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id1.9A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente66
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente600mV
Disipación de Potencia340mW
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrench
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
NXV55UNR is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, and switching circuits.
- Low threshold voltage, very fast switching
- Drain-source voltage is 30V max at Tj = 25°C
- Gate-source voltage is 8V maximum
- Drain current is 2.3A max at VGS = 4.5V; Tamb = 25°C; t ≤ 5s
- Peak drain current is 7.6A max at Tamb = 25°C; single pulse; tp ≤ 10µs
- Total power dissipation is 340mW max at Tamb = 25°C
- Drain-source on-state resistance is 50mohm typ at VGS = 4.5V; ID = 1.9A; Tj = 25°C
- Source-drain voltage is 0.6V typ at IS = 0.4A; VGS = 0V; Tj = 25°C
- Total gate charge is 5.8nC typ at VDS = 15V; ID = 1.9A; VGS = 4.5V; Tj = 25°C
- Ambient temperature range from -55 to 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
340mW
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
Trench
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
1.9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
66
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
600mV
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto