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PMV213SN,215
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMV213SN,215Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK7702
Re-reeling (Rollos a medida)97K7752RL
Cinta adhesiva97K7752
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.727 | $0.73 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.73 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.727 |
| 50+ | $0.326 |
| 100+ | $0.287 |
| 250+ | $0.252 |
| 500+ | $0.217 |
| 1000+ | $0.195 |
| 2500+ | $0.191 |
| 5000+ | $0.188 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.166 |
| 9000+ | $0.145 |
| 15000+ | $0.136 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMV213SN,215Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK7702
Re-reeling (Rollos a medida)97K7752RL
Cinta adhesiva97K7752
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id1.9A
Resistencia de Activación Rds(on)0.213ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.25ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd2W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia2W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The PMV213SN is a N-channel standard level enhancement-mode FET in a plastic package using TrenchMOS® technology. It is suitable for use in DC-to-DC convertors switching applications.
- Low conduction losses due to low ON-state resistance
- -55 to 150°C Junction temperature range
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.213ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
2W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1.9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.25ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza PMV213SN,215
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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