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PSMN012-100YSFX
MOSFET, N-CH, 100V, 65A, SOT-669 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN012-100YSFX
No. Parte Newark80AK3438
Rango de ProductoNextPower Series
336 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.620 |
| 10+ | $1.150 |
| 25+ | $1.040 |
| 50+ | $0.933 |
| 100+ | $0.823 |
| 250+ | $0.753 |
| 500+ | $0.683 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN012-100YSFX
No. Parte Newark80AK3438
Rango de ProductoNextPower Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id65A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0097ohm
Diseño de TransistorSOT-669
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia130W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoNextPower Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
65A
Diseño de Transistor
SOT-669
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
130W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0097ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
NextPower Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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