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PSMN1R2-80CSEJ
MOSFET, N-CH, 80V, 375A, CCPAK1212I ROHS COMPLIANT: YES
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| 50+ | $5.030 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN1R2-80CSEJ
No. Parte Newark27AM4725
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id375A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0013ohm
Diseño de TransistorCCPAK1212i
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.6V
Disipación de Potencia935W
No. de Pines12Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
375A
Diseño de Transistor
CCPAK1212i
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
935W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0013ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.6V
No. de Pines
12Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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