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PSMN1R9-40YSBX
MOSFET, N-CH, 40V, 200A, SOT-669 ROHS COMPLIANT: YES
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 22 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.800 |
| 10+ | $1.390 |
| 25+ | $1.290 |
| 50+ | $1.170 |
| 100+ | $1.070 |
| 250+ | $0.963 |
| 500+ | $0.864 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.80
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN1R9-40YSBX
No. Parte Newark97AK7505
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id200A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0019ohm
Diseño de TransistorSOT-669
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.6V
Disipación de Potencia194W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
200A
Diseño de Transistor
SOT-669
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
194W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0019ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.6V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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