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PSMNR70-40YSNX
MOSFET, N-CH, 40V, 360A, LFPAK56E ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.730 |
| 10+ | $3.350 |
| 25+ | $3.090 |
| 50+ | $2.830 |
| 100+ | $2.550 |
| 250+ | $2.270 |
| 500+ | $2.130 |
| 1000+ | $2.040 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMNR70-40YSNX
No. Parte Newark20AM7979
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id360A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente810µohm
Diseño de TransistorLFPAK56E
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.6V
Disipación de Potencia333W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
360A
Diseño de Transistor
LFPAK56E
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
333W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
810µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.6V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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