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| Cantidad | Precio en USD | 
|---|---|
| 1+ | $1.530 | 
| 10+ | $0.983 | 
| 25+ | $0.879 | 
| 50+ | $0.775 | 
| 100+ | $0.671 | 
| 250+ | $0.604 | 
| 500+ | $0.537 | 
| 1000+ | $0.493 | 
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePXN011-100QLJ
No. Parte Newark85AK3025
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id56A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.011ohm
Diseño de TransistorMLPAK33
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.2V
Disipación de Potencia66W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
56A
Diseño de Transistor
MLPAK33
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
66W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.011ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.2V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto