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BLL6H0514-25,112
Transistor FET RF, 50 V, 2.5 A, 25 W, 500 MHz, 1.4 GHz, SOT-467C
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 19 semana(s)
Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteBLL6H0514-25,112
No. Parte Newark70R2889
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50V
Intensidad Drenador Continua Id2.5A
Disipación de Potencia25W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.500MHz
Disipación de Potencia Pd25W
Frecuencia de Funcionamiento Máx.1.4GHz
Diseño de TransistorSOT-467C
Encapsulado de Transistor RFSOT-467C
Núm. de Contactos2Pines
Temperatura de Trabajo Máx.200°C
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorBrida
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50V
Disipación de Potencia
25W
Disipación de Potencia Pd
25W
Diseño de Transistor
SOT-467C
Núm. de Contactos
2Pines
Tipo de Canal
Canal N
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Intensidad Drenador Continua Id
2.5A
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
500MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
1.4GHz
Encapsulado de Transistor RF
SOT-467C
Temperatura de Trabajo Máx.
200°C
Montaje de Transistor
Brida
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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