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FDD6685
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 40 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD6685
No. Parte Newark60J0586
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id40
Resistencia de Activación Rds(on)0.014ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd52W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.8
Disipación de Potencia52
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El FDD6685 es un MOSFET de canal P es una versión de compuerta robusta del proceso avanzado PowerTrench®, velocidad de conmutación rápida y tecnología de zanjas de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ENCENDIDO).
- Conmutación rápida
- Voltaje de compuerta a fuente de ±20V
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente.
- Calificado AEC-Q101
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.014ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
52W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.8
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
52
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
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Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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