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2N5195G.
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.620 |
| 10+ | $1.080 |
| 100+ | $0.764 |
| 500+ | $0.630 |
| 1000+ | $0.586 |
| 2500+ | $0.549 |
| 10000+ | $0.485 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N5195G.Copiar
No. Parte Newark28AC7842
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor80
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo80V
Corriente de Colector DC4A
Corriente del Colector Continua4
Disipación de Potencia40
Disipación de Potencia Pd40W
Ganancia de Corriente DC hFE80hFE
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Diseño de TransistorTO-225
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición2
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.80
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
80V
Corriente del Colector Continua
4
Disipación de Potencia Pd
40W
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
80
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80
Corriente de Colector DC
4A
Disipación de Potencia
40
Ganancia de Corriente DC hFE
80hFE
Diseño de Transistor
TO-225
Frecuencia de Transición
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza 2N5195G.
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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