2N7000
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.157 |
| 10+ | $0.157 |
| 100+ | $0.145 |
| 500+ | $0.144 |
| 1000+ | $0.133 |
| 2500+ | $0.133 |
| 10000+ | $0.125 |
Información del producto
Resumen del producto
El 2N7000 es un transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N que se produce utilizando tecnología DMOS de alta densidad celular. Este proceso de muy alta densidad ha sido diseñado para minimizar la resistencia en el estado al tiempo que proporciona un rendimiento de conmutación rápido, confiable y resistente. Se puede utilizar en la mayoría de las aplicaciones que requieren hasta 400mA CD y puede suministrar corrientes pulsadas de hasta 2A. También es adecuado para aplicaciones de bajo voltaje y baja corriente, como el control de servomotores pequeños, controladores de compuerta MOSFET de potencia y otras aplicaciones de conmutación.
- Interruptor de señal pequeña controlado por voltaje
- Resistente y confiable
- Alta capacidad a corriente de saturación
Especificaciones técnicas
Canal N
200mA
TO-92
10V
400mW
150°C
-
No SVHC (23-Jan-2024)
60V
5ohm
Agujero Pasante
2.1V
3Pines
-
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza 2N7000
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Legislación y medioambiente
RoHS
RoHS
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