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2N7002KW
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 310 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N7002KWCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6737
Re-reeling (Rollos a medida)31Y5853RL
Cinta adhesiva31Y5853
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12,113 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.441 | $0.44 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.44 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.441 |
| 50+ | $0.278 |
| 100+ | $0.184 |
| 250+ | $0.163 |
| 500+ | $0.143 |
| 1000+ | $0.129 |
| 2500+ | $0.127 |
| 5000+ | $0.124 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.117 |
| 6000+ | $0.099 |
| 12000+ | $0.089 |
| 18000+ | $0.085 |
| 30000+ | $0.076 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N7002KWCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6737
Re-reeling (Rollos a medida)31Y5853RL
Cinta adhesiva31Y5853
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id310mA
Resistencia de Activación Rds(on)1.6ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.6ohm
Diseño de TransistorSOT-323
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd300mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.1V
Disipación de Potencia300mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El 2N7002KW es un FET de modo de mejora de canal N con baja resistencia a ON y bajo voltaje de umbral de puerta.
- Baja capacitancia de entrada
- Alta velocidad de conmutación
- Fuga baja de entrada/salida
- Paquete ultra pequeño de montaje en superficie
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
1.6ohm
Diseño de Transistor
SOT-323
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.1V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
310mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.6ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
300mW
Disipación de Potencia
300mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza 2N7002KW
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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