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4N35SR2M
Optoacouplador, Salida Transistor, 1 Canal, DIP Montaje Superficie, 6 Pines, 60 mA, 7.5 kV, 100 %
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FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante4N35SR2M
No. Parte Newark84W8977
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.758 |
| 10+ | $0.492 |
| 25+ | $0.455 |
| 50+ | $0.419 |
| 100+ | $0.382 |
| 250+ | $0.363 |
| 500+ | $0.344 |
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2000+ | $0.272 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante4N35SR2M
No. Parte Newark84W8977
Hoja de datos técnicos
No. de Canales1 Canal
Estilo de la Carcasa del OptoacopladorDIP Montaje Superficie
No. de Pines6Pines
Corriente Directa If Máx.60
Voltaje de Aislamiento7.5
CTR Mín.100
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo100
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The 4N35SR2M is a 6-pin general purpose Phototransistor Optocoupler consists of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistor. It is suitable for digital logic inputs and microprocessor inputs.
- 850V Maximum working insulation voltage
- 6000V High allowable overvoltage
- -40 to +100°C Operating temperature range
Especificaciones técnicas
No. de Canales
1 Canal
No. de Pines
6Pines
Voltaje de Aislamiento
7.5
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
100
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Estilo de la Carcasa del Optoacoplador
DIP Montaje Superficie
Corriente Directa If Máx.
60
CTR Mín.
100
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza 4N35SR2M
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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