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BDV65BG
TRANS, BJT, DARLINGTON, NPN
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBDV65BGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante4 semanas
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 10+ | $2.430 |
| 100+ | $1.950 |
| 500+ | $1.810 |
| 1000+ | $1.630 |
| 2500+ | $1.310 |
| 5000+ | $1.270 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBDV65BGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante4 semanas
No. Parte Newark37K9414
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo100V
Disipación de Potencia Pd125W
Corriente de Colector DC10A
Encapsulado de Transistor RFTO-247
No. de Pines3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE1000hFE
Montaje de TransistorThrough Hole
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Disipación de Potencia Pd
125W
Encapsulado de Transistor RF
TO-247
Ganancia de Corriente DC hFE
1000hFE
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
100V
Corriente de Colector DC
10A
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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