Imprimir página
FDC6303N
MOSFET Dual, Canal N, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
117,688 En Stock
¿Necesita más?
315 Entrega en EE. UU. en 2-4 días hábiles. Haga su pedido antes de las 12:30 p. m. EST (hora estandar del este de EE. UU.). Envío estándar.
117373 Stock disponible en el Reino Unido para entrega en 4-6 días laborables.
Pedido antes de las 6 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 100+ | $6.180 |
| 250+ | $5.540 |
| 500+ | $4.880 |
| 1000+ | $4.400 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 100
Múltiple: 1
$623.00
Se agregará un cargo de rehilado de $5.00 para este producto
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
Resumen del producto
The FDC6303N is a dual N-channel logic level enhancement-mode FET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required this one N-channel FET can replace several digital transistors with different bias resistors like the IMHxA series.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
- Gate-source Zener for ESD ruggedness
- Replace multiple NPN digital transistors (IMHxA series) with one DMOS FET
- 8V Gate-source voltage
- 0.68A Continuous drain/output current
- 2A Pulsed drain/output current
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDC6303N
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto