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FDC6333C..
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.095 ohm
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 10+ | $0.594 |
| 25+ | $0.526 |
| 50+ | $0.456 |
| 100+ | $0.387 |
| 250+ | $0.342 |
| 500+ | $0.297 |
| 1000+ | $0.268 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC6333C..
No. Parte Newark47T5019
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Intensidad Drenador Continua Id2.5A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N2.5A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P2.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.095ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.095ohm
Diseño de TransistorSuperSOT
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N960mW
Disipación de Potencia de Canal P960mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El FDC6333C es un MOSFET de canal N/P producido mediante el proceso avanzado PowerTrench®. Se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado ON y, al mismo tiempo, mantener un rendimiento de conmutación superior. Ha sido diseñado para ofrecer una disipación de energía excepcional en un espacio muy pequeño para aplicaciones donde los paquetes más grandes y costosos no son prácticos. Es adecuado para usar con aplicaciones de inversor de pantalla LCD, interruptor de carga y convertidor de CD a CD.
- Baja carga de compuerta
- Huella pequeña
- Perfil bajo
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2.5A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
2.5A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.095ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
960mW
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
2.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.095ohm
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia de Canal N
960mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDC6333C..
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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