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FDC6561AN
Dual MOSFET, Dual N Channel, 2.5 A, 30 V
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC6561ANCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo96W6878
Re-reeling (Rollos a medida)25M9447RL
Cinta adhesiva25M9447
Su número de pieza
97,549 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.990 | $4.95 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $4.95 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.990 |
| 10+ | $0.619 |
| 15+ | $0.565 |
| 25+ | $0.511 |
| 50+ | $0.457 |
| 125+ | $0.403 |
| 250+ | $0.357 |
| 500+ | $0.310 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.264 |
| 6000+ | $0.243 |
| 12000+ | $0.228 |
| 18000+ | $0.212 |
| 30000+ | $0.203 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC6561ANCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo96W6878
Re-reeling (Rollos a medida)25M9447RL
Cinta adhesiva25M9447
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Intensidad Drenador Continua Id0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N2.5A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.082ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSuperSOT
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N960mW
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
2.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.082ohm
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia de Canal N
960mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDC6561AN
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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