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FDG6303N
MOSFET Dual, Canal N, 25 V, 500 mA, 0.34 ohm
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 12000+ | $0.116 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDG6303N
No. Parte Newark35P2808
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N25V
Intensidad Drenador Continua Id500mA
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N500mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.34ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-ohm
Diseño de TransistorSC-70
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N300mW
Disipación de Potencia de Canal P-W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El FDG6303N es un MOSFET de modo de mejora de nivel lógico de canal N dual con alta densidad celular y tecnología DMOS. Este proceso de muy alta densidad está especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado ON. Este dispositivo ha sido diseñado especialmente para aplicaciones de baja tensión como reemplazo de transistores digitales bipolares y MOSFET de pequeña señal.
- Requisitos de accionamiento de compuerta de muy bajo nivel que permiten la operación directa en circuitos de 3V (VGS (th) <lt/>lt /<gt/> 1.5V)
- Compuerta-fuente Zener para robustez ESD
- Paquete compacto de montaje en superficie estándar de la industria
- Voltaje de puerta a fuente -0.5 a 8V
- Corriente continua de drenaje/salida 0.5A
- Corriente de salida/drenaje pulsada de 1.5A
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
500mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-W
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
25V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
500mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.34ohm
Diseño de Transistor
SC-70
Disipación de Potencia de Canal N
300mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FDG6303N
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto