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FDMA3023PZ
MOSFET Dual, Canal P, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.071 ohm
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMA3023PZ
No. Parte Newark79R1466
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Intensidad Drenador Continua Id2.9A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N2.9A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P2.9A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.071ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.071ohm
Diseño de TransistorµFET
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.4W
Disipación de Potencia de Canal P1.4W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
2.9A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
2.9A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.071ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.4W
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
2.9A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.071ohm
Diseño de Transistor
µFET
Disipación de Potencia de Canal N
1.4W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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