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FDN306P
MOSFET Transistor, P Channel, -2.6 A, -12 V, 40 mohm, -4.5 V, -600 mV RoHS Compliant: Yes
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.634 |
| 10+ | $0.410 |
| 25+ | $0.368 |
| 50+ | $0.327 |
| 100+ | $0.285 |
| 250+ | $0.284 |
| 500+ | $0.221 |
| 1000+ | $0.193 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDN306P
No. Parte Newark61M6278
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12V
Intensidad Drenador Continua Id2.6A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.04ohm
Diseño de TransistorSuperSOT
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente600mV
Disipación de Potencia500mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SuperSOT
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
600mV
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2.6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.04ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
500mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDN306P
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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