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FDS2670
MOSFET, N-CH, 200V, 3A, SOIC ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS2670
No. Parte Newark86AK4969
Rango de ProductoPowerTrench Series
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 26 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $1.260 |
| 5000+ | $1.260 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 2500
Múltiple: 2500
$3,150.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS2670
No. Parte Newark86AK4969
Rango de ProductoPowerTrench Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Intensidad Drenador Continua Id3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.13ohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia2.5W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoPowerTrench Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3A
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
2.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.13ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
PowerTrench Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Alternativas para el número de pieza FDS2670
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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