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FDV301N
MOSFET de Potencia, Canal N, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDV301N
No. Parte Newark58K8856
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25
Intensidad Drenador Continua Id220
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4
Resistencia de Activación Rds(on)3.1ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd350mW
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente850
Disipación de Potencia350
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El FDV301N es un FET digital de modo de mejora de nivel lógico de canal N de montaje en superficie en paquete SOT-23. Este dispositivo cuenta con tecnología DMOS de alta densidad celular que ha sido especialmente diseñada para minimizar la resistencia en el estado y mantener una carga de puerta baja para un rendimiento de conmutación superior, este FET de un canal N puede reemplazar varios transistores digitales diferentes con diferentes valores de resistencia de polarización. FDV301N es adecuado para aplicaciones de administración de energía y bajo voltaje.
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de 25V
- Voltaje de compuerta a fuente de 8V
- Corriente continua de drenaje (Id) de 220mA
- Disipación de potencia (Pd) de 350mW
- Baja resistencia al estado de 3.1ohm a Vgs 4.5V
- Rango de temperatura de operación de -55°C a 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
350mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
850
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
220
Resistencia de Activación Rds(on)
3.1ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
350
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDV301N
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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