FDV301N
MOSFET de Potencia, Canal N, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.047 |
| 50+ | $0.047 |
| 100+ | $0.047 |
| 250+ | $0.047 |
| 500+ | $0.047 |
| 1000+ | $0.043 |
| 2500+ | $0.043 |
| 5000+ | $0.040 |
Información del producto
Resumen del producto
El FDV301N es un FET digital de modo de mejora de nivel lógico de canal N de montaje en superficie en paquete SOT-23. Este dispositivo cuenta con tecnología DMOS de alta densidad celular que ha sido especialmente diseñada para minimizar la resistencia en el estado y mantener una carga de puerta baja para un rendimiento de conmutación superior, este FET de un canal N puede reemplazar varios transistores digitales diferentes con diferentes valores de resistencia de polarización. FDV301N es adecuado para aplicaciones de administración de energía y bajo voltaje.
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de 25V
- Voltaje de compuerta a fuente de 8V
- Corriente continua de drenaje (Id) de 220mA
- Disipación de potencia (Pd) de 350mW
- Baja resistencia al estado de 3.1ohm a Vgs 4.5V
- Rango de temperatura de operación de -55°C a 150°C
Especificaciones técnicas
Canal N
25V
3.1ohm
Montaje Superficial
350mW
850mV
3Pines
-
MSL 1 - Unlimited
Canal N
220mA
3.1ohm
4.5V
SOT-23
350mW
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDV301N
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