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FGAF40N60UFTU
IGBT, Propósito General, 40 A, 2.3 V, 100 W, 600 V, TO-3PF, 3 Pines
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFGAF40N60UFTU
No. Parte Newark41T0504
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector DC40A
Corriente del Colector Continua40A
Voltaje de Saturación Colector Emisor6.5V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)2.3V
Disipación de Potencia100W
Disipación de Potencia Pd100W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo600V
Voltaje Máx. Colector a Emisor600V
Diseño de TransistorTO-3PF
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El FGAF40N60UFTU es un PT IGBT que proporciona bajas pérdidas de conducción y conmutación. La serie UF está diseñada para aplicaciones como inversores generales y PFC donde la conmutación de alta velocidad es una característica necesaria.
- Conmutación de alta velocidad
- Alta impedancia de entrada
- Voltaje de baja saturación 2.3V @ IC = 20A
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector DC
40A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
6.5V
Disipación de Potencia
100W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
600V
Diseño de Transistor
TO-3PF
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Corriente del Colector Continua
40A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
2.3V
Disipación de Potencia Pd
100W
Voltaje Máx. Colector a Emisor
600V
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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