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FQD13N10LTM
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQD13N10LTMCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo25AC9603
Re-reeling (Rollos a medida)31Y1523
Cinta adhesiva31Y1523
Su número de pieza
4,070 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.400 | $7.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $7.00 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $1.400 |
| 10+ | $0.913 |
| 25+ | $0.820 |
| 50+ | $0.727 |
| 100+ | $0.633 |
| 250+ | $0.573 |
| 500+ | $0.512 |
| 1000+ | $0.473 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.352 |
| 5000+ | $0.346 |
| 10000+ | $0.343 |
| 20000+ | $0.339 |
| 40000+ | $0.331 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQD13N10LTMCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo25AC9603
Re-reeling (Rollos a medida)31Y1523
Cinta adhesiva31Y1523
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id10
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.18
Resistencia de Activación Rds(on)0.142ohm
Diseño de TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd40W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia40
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FQD13N10LTM es un MOSFET de potencia de canal N en modo de mejora QFET® que se produce utilizando la banda plana y la tecnología DMOS. Esta avanzada tecnología MOSFET se ha diseñado especialmente para reducir la resistencia en estado ENCENDIDO y para proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta potencia energética de avalancha. Es adecuado para fuentes de alimentación de modo conmutado, amplificador de audio y aplicaciones de potencia de conmutación variable.
- Requisitos de accionamiento de compuerta de bajo nivel que permiten el funcionamiento directo desde controladores lógicos
- Probado avalancha 100%
- Carga de puerta baja típica de 8.7nC
- Cruce bajo típico 20pF
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.18
Diseño de Transistor
TO-252AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
10
Resistencia de Activación Rds(on)
0.142ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
40W
Disipación de Potencia
40
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FQD13N10LTM
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto