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FQD16N25CTM
MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 16 A, 0.22 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQD16N25CTMCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)75M2471
Cinta adhesiva75M2471
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.220 | $2.22 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.22 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.220 |
| 10+ | $1.400 |
| 100+ | $0.972 |
| 500+ | $0.842 |
| 1000+ | $0.795 |
| 2500+ | $0.731 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQD16N25CTMCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)75M2471
Cinta adhesiva75M2471
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250
Intensidad Drenador Continua Id16
Resistencia de Activación Rds(on)0.22ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.22
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd160W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia160
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
The FQD16N25CTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
- 100% avalanche tested
- 41nC typical low gate charge
- 68pF typical low Crss
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250
Resistencia de Activación Rds(on)
0.22ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
160W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
16
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.22
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
160
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FQD16N25CTM
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto