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MJ11032G
Transistor Darlington, Darlington, NPN, 120 V, 300 W, 50 A, TO-204, 2 Pines
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJ11032G
No. Parte Newark26K4507
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor120V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo120
Corriente del Colector Continua50A
Disipación de Potencia Pd300
Frecuencia de Transición-
Corriente de Colector DC50
Disipación de Potencia300W
Encapsulado de Transistor RFTO-204
No. de Pines2Pines
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Diseño de TransistorTO-204
Ganancia de Corriente DC hFE400
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.400hFE
Temperatura de Trabajo Máx.200
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
120
Disipación de Potencia Pd
300
Corriente de Colector DC
50
Encapsulado de Transistor RF
TO-204
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Ganancia de Corriente DC hFE
400
Temperatura de Trabajo Máx.
200
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Voltaje Máx. Colector a Emisor
120V
Corriente del Colector Continua
50A
Frecuencia de Transición
-
Disipación de Potencia
300W
No. de Pines
2Pines
Diseño de Transistor
TO-204
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
400hFE
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
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