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MJ11032G
Transistor Darlington, Darlington, NPN, 120 V, 300 W, 50 A, TO-204, 2 Pines
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJ11032G
No. Parte Newark26K4507
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo120
Voltaje Máx. Colector a Emisor120V
Disipación de Potencia Pd300
Frecuencia de Transición-
Corriente del Colector Continua50A
Corriente de Colector DC50
Disipación de Potencia300W
Encapsulado de Transistor RFTO-204
No. de Pines2Pines
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Ganancia de Corriente DC hFE400
Diseño de TransistorTO-204
Temperatura de Trabajo Máx.200
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.400hFE
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
120V
Frecuencia de Transición
-
Corriente de Colector DC
50
Encapsulado de Transistor RF
TO-204
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Diseño de Transistor
TO-204
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
400hFE
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
120
Disipación de Potencia Pd
300
Corriente del Colector Continua
50A
Disipación de Potencia
300W
No. de Pines
2Pines
Ganancia de Corriente DC hFE
400
Temperatura de Trabajo Máx.
200
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
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RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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