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MJD44H11-1G
TRANSISTOR, NPN, 80V, 8A, TO-252
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.390 |
| 10+ | $0.791 |
| 150+ | $0.657 |
| 525+ | $0.602 |
| 1050+ | $0.548 |
| 2550+ | $0.482 |
| 10050+ | $0.450 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD44H11-1G
No. Parte Newark30AC9900
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor80V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Corriente del Colector Continua8A
Disipación de Potencia20W
Disipación de Potencia Pd0
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Corriente de Colector DC0
Montaje de TransistorSurface Mount
Ganancia de Corriente DC hFE0
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición85MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.60hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Disipación de Potencia
20W
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Montaje de Transistor
Surface Mount
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
60hFE
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80V
Corriente del Colector Continua
8A
Disipación de Potencia Pd
0
Corriente de Colector DC
0
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Frecuencia de Transición
85MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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