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MJE170G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJE170G
No. Parte Newark50AC6108
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor40
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua3
Disipación de Potencia12.5
Disipación de Potencia Pd0
Diseño de TransistorTO-225
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Ganancia de Corriente DC hFE0
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición50
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.12
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Norma de Cualificación Automotriz0
Conforme a RoHS Ftalatos0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
40
Corriente del Colector Continua
3
Disipación de Potencia Pd
0
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
12
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia
12.5
Diseño de Transistor
TO-225
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Frecuencia de Transición
50
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Conforme a RoHS Ftalatos
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
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US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
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Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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