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MJL21194G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 250 V, 16 A, 200 W, TO-264, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJL21194G
No. Parte Newark38K5626
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor250
Corriente del Colector Continua16
Disipación de Potencia200
Disipación de Potencia Pd0
Diseño de TransistorTO-264
Corriente de Colector DC0
Ganancia de Corriente DC hFE0
Montaje de TransistorAgujero Pasante
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición4
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.25
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
250
Disipación de Potencia
200
Diseño de Transistor
TO-264
Ganancia de Corriente DC hFE
0
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
25
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
16
Disipación de Potencia Pd
0
Corriente de Colector DC
0
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Frecuencia de Transición
4
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
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