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MJL21196G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 250 V, 16 A, 200 W, TO-264, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJL21196G
No. Parte Newark82Y7003
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor250
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Corriente del Colector Continua16
Disipación de Potencia200
Disipación de Potencia Pd0
Corriente de Colector DC0
Diseño de TransistorTO-264
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Ganancia de Corriente DC hFE0
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición4
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.8
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Disipación de Potencia
200
Corriente de Colector DC
0
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
8
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. Colector a Emisor
250
Corriente del Colector Continua
16
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
TO-264
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Frecuencia de Transición
4
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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