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MMBT5551LT3G.
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBT5551LT3G.Copiar
No. Parte Newark14AC9706
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo160V
Voltaje Máx. Colector a Emisor160
Corriente del Colector Continua600
Frecuencia de Transición-
Disipación de Potencia Pd225mW
Disipación de Potencia225
Corriente de Colector DC600mA
Ganancia de Corriente DC hFE80hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines3Pines
Diseño de TransistorSOT-23
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.80
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
160
Frecuencia de Transición
-
Disipación de Potencia
225
Ganancia de Corriente DC hFE
80hFE
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
80
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
160V
Corriente del Colector Continua
600
Disipación de Potencia Pd
225mW
Corriente de Colector DC
600mA
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Diseño de Transistor
SOT-23
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MMBT5551LT3G.
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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