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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMSD301T1G
No. Parte Newark77M8937
Rango de ProductoSerie MMSD3
Hoja de datos técnicos
569 En Stock
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Cantidad | Precio en USD |
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50+ | $0.106 |
100+ | $0.081 |
250+ | $0.070 |
500+ | $0.060 |
1000+ | $0.052 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMSD301T1G
No. Parte Newark77M8937
Rango de ProductoSerie MMSD3
Hoja de datos técnicos
Configuración de DiodoÚnico
Voltaje Reverso30V
Corriente Directa200mA
Voltaje Directo VF Máx.600mV
Voltaje Directo600mV
Capacitancia del Diodo0.9pF
Estilo de la Carcasa del DiodoSOD-123
Núm. de Pines2 Pines
Montaje del DiodoSurface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.125°C
Rango de ProductoSerie MMSD3
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Alternativas para el número de pieza MMSD301T1G
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
El MMSD301T1G es un diodo de barrera Schottky diseñado para aplicaciones de detectores UHF y VHF de alta eficiencia. Está disponible para muchas otras aplicaciones digitales y de RF de conmutación rápida.
- Vida útil de portadora minoritaria extremadamente baja
- Capacitancia muy baja
- Baja corriente de fuga inversa
- Rango de temperatura de unión de operación entre -55 y 125°C
Especificaciones técnicas
Configuración de Diodo
Único
Corriente Directa
200mA
Voltaje Directo
600mV
Estilo de la Carcasa del Diodo
SOD-123
Montaje del Diodo
Surface Mount
Rango de Producto
Serie MMSD3
Voltaje Reverso
30V
Voltaje Directo VF Máx.
600mV
Capacitancia del Diodo
0.9pF
Núm. de Pines
2 Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
125°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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