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NDC7001C
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 50 V, 50 V, 340 mA, 340 mA, 1 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNDC7001CCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo67R2121
Re-reeling (Rollos a medida)58K9473RL
Cinta adhesiva58K9473
Su número de pieza
39,182 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.937 | $0.94 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.94 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.937 |
| 50+ | $0.428 |
| 100+ | $0.378 |
| 250+ | $0.348 |
| 500+ | $0.266 |
| 1000+ | $0.261 |
| 2500+ | $0.256 |
| 5000+ | $0.251 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.224 |
| 9000+ | $0.205 |
| 15000+ | $0.201 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNDC7001CCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo67R2121
Re-reeling (Rollos a medida)58K9473RL
Cinta adhesiva58K9473
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N50
Intensidad Drenador Continua Id510mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P50
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N340
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P340
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente1
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente1
Diseño de TransistorSuperSOT
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N700
Disipación de Potencia de Canal P700
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El NDC7001C es un FET de modo de mejora de doble canal N/P producido utilizando alta densidad celular y tecnología DMOS. Este proceso de muy alta densidad ha sido diseñado para minimizar la resistencia del estado ON, proporcionar un rendimiento robusto y confiable y una conmutación rápida. Este dispositivo es particularmente adecuado para aplicaciones de fuente de alimentación y conmutación de baja tensión y baja corriente.
- Corriente de saturación alta
- Diseño de celda de alta densidad para bajo RDS (ON)
- Diseño con marco de plomo de cobre para capacidades térmicas y eléctricas superiores
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Intensidad Drenador Continua Id
510mA
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
340
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
1
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
700
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
50
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
50
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
340
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
1
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia de Canal N
700
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NDC7001C
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Trazabilidad del producto