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NJL1302DG
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 10+ | $3.480 |
| 25+ | $3.290 |
| 50+ | $3.090 |
| 100+ | $2.900 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNJL1302DGCopiar
No. Parte Newark14AC4725
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor260
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua15
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia200
Diseño de TransistorTO-264
Montaje de TransistorAgujero Pasante
No. de Pines5Pines
Frecuencia de Transición30
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.75
Ganancia de Corriente DC hFE0
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
15
Disipación de Potencia
200
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Frecuencia de Transición
30
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
260
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
TO-264
No. de Pines
5Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
75
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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Certificado de conformidad del producto