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NTBG025N065SC1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 106 A, 650 V, 0.0285 ohm, TO-263 (D2PAK)
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTBG025N065SC1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)51AK1475RL
Cinta adhesiva51AK1475
Rango de ProductoEliteSiC Series
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 22 semana(s)
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $26.830 | $26.83 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $26.83 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $26.830 |
| 50+ | $20.820 |
| 100+ | $20.360 |
| 250+ | $19.890 |
| 500+ | $19.410 |
| 1000+ | $19.020 |
| 2500+ | $18.630 |
| 5000+ | $18.240 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTBG025N065SC1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)51AK1475RL
Cinta adhesiva51AK1475
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id106
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0285
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8
Disipación de Potencia395
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
106
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0285
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
395
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto