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NTBL060N065SC1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 46 A, 650 V, 70 mohm, H-PSOF
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTBL060N065SC1
No. Parte Newark08AM4233
Rango de ProductoEliteSiC Series
1,995 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $9.830 |
| 10+ | $7.780 |
| 25+ | $7.450 |
| 50+ | $7.100 |
| 100+ | $6.770 |
| 250+ | $6.500 |
| 500+ | $6.220 |
| 1000+ | $5.790 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTBL060N065SC1
No. Parte Newark08AM4233
Rango de ProductoEliteSiC Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id46
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente70
Diseño de TransistorH-PSOF
No. de Pines8Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.3
Disipación de Potencia170
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
46
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
70
No. de Pines
8Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.3
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Diseño de Transistor
H-PSOF
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
170
Rango de Producto
EliteSiC Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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