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NTBL075N065SC1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 37 A, 650 V, 0.085 ohm, H-PSOF
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTBL075N065SC1
No. Parte Newark08AM4234
Rango de ProductoEliteSiC Series
1,980 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $6.270 |
| 10+ | $5.600 |
| 25+ | $5.310 |
| 50+ | $5.210 |
| 100+ | $5.110 |
| 250+ | $4.940 |
| 500+ | $4.800 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
$6.27
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTBL075N065SC1
No. Parte Newark08AM4234
Rango de ProductoEliteSiC Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id37A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.085ohm
Diseño de TransistorH-PSOF
No. de Pines8Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.3V
Disipación de Potencia139W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
37A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.085ohm
No. de Pines
8Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.3V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Diseño de Transistor
H-PSOF
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
139W
Rango de Producto
EliteSiC Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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