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NTF2955T1G
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTF2955T1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante13 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo45J2134
Re-reeling (Rollos a medida)10N9718RL
Cinta adhesiva10N9718
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.170 | $2.17 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.17 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.170 |
| 50+ | $1.450 |
| 100+ | $1.040 |
| 250+ | $0.950 |
| 500+ | $0.862 |
| 1000+ | $0.845 |
| 2500+ | $0.827 |
| 5000+ | $0.810 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1000+ | $0.765 |
| 3000+ | $0.721 |
| 5000+ | $0.706 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTF2955T1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante13 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo45J2134
Re-reeling (Rollos a medida)10N9718RL
Cinta adhesiva10N9718
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id2.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.145
Resistencia de Activación Rds(on)0.145ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd1W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorSOT-223
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia1
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El NTF2955T1G es un MOSFET de potencia de canal P único. Las aplicaciones incluyen fuentes de alimentación, control de motores PWM, convertidores y gestión de energía.
- La resistencia de drenaje a fuente es del tipo 145 mohm (VGS = -10V, IS = -0.75A)
- El voltaje de puerta a fuente es ±20V (TJ = 25 °C)
- La corriente de drenaje continuo es de -2.6A (TJ = 25 °C, estado estable)
- La disipación de potencia es de 2.3W (TJ = 25 °C, estado estable)
- La corriente de drenaje pulsada es -17 A (tp = 10 µs, TJ = 25 °C)
- El voltaje de ruptura entre drenaje y fuente es de -60V mín. (VGS = 0V, ID = -250µA, TJ = 25 °C)
- Rango de voltaje de umbral de puerta de -2.0 a -4.0V (VGS = VDS, ID = -1.0mA, TJ = 25 °C)
- La transconductancia directa es de 1.77S (VGS = -15 V, ID = -0.75A, TJ = 25 °C)
- El tiempo de retardo de encendido es de 11ns rtp (VGS = 10V, VDD = 25 V, ID = 1.5A, RG = 9.1 ohm, RL = 25 ohm)
- Paquete SOT-223, rango de unión operativa de -55 a 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.145
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
2.6
Resistencia de Activación Rds(on)
0.145ohm
Disipación de Potencia Pd
1W
Diseño de Transistor
SOT-223
Disipación de Potencia
1
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza NTF2955T1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto