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Cantidad | Precio en USD |
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3000+ | $0.578 |
6000+ | $0.528 |
12000+ | $0.479 |
18000+ | $0.462 |
30000+ | $0.453 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTHD4102PT1G
No. Parte Newark86AK5824
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N2.9A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P2.9A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.064ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.064ohm
Diseño de TransistorChipFET
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.1W
Disipación de Potencia de Canal P1.1W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
2.9A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.064ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.1W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
2.9A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.064ohm
Diseño de Transistor
ChipFET
Disipación de Potencia de Canal N
1.1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Alternativas para el número de pieza NTHD4102PT1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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