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NTJD4152PT1G
MOSFET Dual, Canal P, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.215 ohm
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTJD4152PT1G
No. Parte Newark45J2156
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Intensidad Drenador Continua Id880mA
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N880
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P880
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.215
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente215
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N272
Disipación de Potencia de Canal P272
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
880mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
880
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
215
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
272
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
880
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.215
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
272
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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