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NTMFWS1D5N08XT1G
MOSFET, N-CH, 80V, 253A, DFNW ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMFWS1D5N08XT1G
No. Parte Newark85AK4674
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id253A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.00143ohm
Diseño de TransistorDFNW-EP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.6V
Disipación de Potencia194W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
253A
Diseño de Transistor
DFNW-EP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
194W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.00143ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.6V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
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