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NTMTS001N06CTXG
MOSFET, N-CH, 60V, 376A, DFNW
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 25 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.030 |
| 10+ | $3.060 |
| 25+ | $2.820 |
| 50+ | $2.570 |
| 100+ | $2.330 |
| 250+ | $2.230 |
| 500+ | $2.120 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$4.03
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMTS001N06CTXG
No. Parte Newark03AJ2423
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id376A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente770µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorDFNW
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia244W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
770µohm
Diseño de Transistor
DFNW
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
244W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
376A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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