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NTR4501NT1G
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTR4501NT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5855
Re-reeling (Rollos a medida)06R3476
Cinta adhesiva06R3476
Su número de pieza
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.575 | $0.58 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.58 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.575 |
| 25+ | $0.447 |
| 50+ | $0.313 |
| 100+ | $0.264 |
| 250+ | $0.225 |
| 500+ | $0.185 |
| 1000+ | $0.159 |
| 2500+ | $0.136 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.097 |
| 6000+ | $0.092 |
| 12000+ | $0.086 |
| 18000+ | $0.081 |
| 30000+ | $0.074 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTR4501NT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5855
Re-reeling (Rollos a medida)06R3476
Cinta adhesiva06R3476
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id3.2A
Resistencia de Activación Rds(on)0.08ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.08ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd1.25W
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2V
Diseño de TransistorSOT-23
Disipación de Potencia1.25W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El NTR4501NT1G es un MOSFET de potencia de canal N de 20V con tecnología plana líder para carga de puerta baja/conmutación rápida. Es adecuado con conversión CD-CD, interruptor de carga/alimentación para portátiles e informática.
- 2.5V clasificado para accionamiento de puerta de bajo voltaje
- Voltaje de compuerta a fuente de ±12V
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.08ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
3.2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.08ohm
Disipación de Potencia Pd
1.25W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2V
Disipación de Potencia
1.25W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza NTR4501NT1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto