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NTTFS4D9N04XMTAG
MOSFET, N-CH, 40V, 65A, WDFN
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 27 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.886 |
| 10+ | $0.739 |
| 25+ | $0.662 |
| 50+ | $0.599 |
| 100+ | $0.524 |
| 250+ | $0.470 |
| 500+ | $0.389 |
| 1000+ | $0.377 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTTFS4D9N04XMTAG
No. Parte Newark51AM2187
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id65A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4900µohm
Diseño de TransistorWDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia38W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
65A
Diseño de Transistor
WDFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
38W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4900µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Pendiente
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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