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NVB099N65S3
MOSFET, N-CH, 650V, 30A, D2PAK ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVB099N65S3
No. Parte Newark93AK8747
Rango de ProductoSuperFET III
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 27 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $7.240 |
| 10+ | $6.540 |
| 25+ | $6.120 |
| 50+ | $5.650 |
| 100+ | $5.090 |
| 250+ | $4.310 |
| 500+ | $4.160 |
| 1600+ | $3.990 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$7.24
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVB099N65S3
No. Parte Newark93AK8747
Rango de ProductoSuperFET III
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id30A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.079ohm
Diseño de TransistorD2PAK
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5V
Disipación de Potencia227W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoSuperFET III
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
30A
Diseño de Transistor
D2PAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
227W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.079ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
SuperFET III
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto