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NVD260N65S3T4G
MOSFET, N-CH, 650V, 12A, TO-252 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVD260N65S3T4G
No. Parte Newark93AK8748
Rango de ProductoSuperFET III
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 21 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.860 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.86
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVD260N65S3T4G
No. Parte Newark93AK8748
Rango de ProductoSuperFET III
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id12A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.217ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5V
Disipación de Potencia90W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoSuperFET III
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
12A
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
90W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.217ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
SuperFET III
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
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