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NXH011F120M3F2PTHG
MOSFET de carburo de silicio, Puente Completo, Canal N, 105 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, PIM
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $129.960 |
| 5+ | $124.140 |
| 10+ | $118.320 |
| 25+ | $112.490 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH011F120M3F2PTHG
No. Parte Newark08AM4244
Configuración de Módulo MOSFETFull Bridge
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id105A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.016ohm
Diseño de TransistorPIM
No. de Pines34Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.4V
Disipación de Potencia244W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Full Bridge
Intensidad Drenador Continua Id
105A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.016ohm
No. de Pines
34Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.4V
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
PIM
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
244W
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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